Thế hệ vi xử lý di động cao cấp tiếp theo của Qualcomm vừa được chính thức công bố với tên gọi Snapdragon 835. Dòng chip này hứa hẹn sẽ mang lại hiệu năng cao hơn 20% và tiết kiệm 40% điện năng so với Snapdragon 821.
Snapdragon 835 lại quay trở về với kiến trúc 8 nhân big.LITTLE với 4 nhân tốc độ 2.45GHz và 4 nhân tốc độ 1.9GHz. Cả 8 nhân này đều là nhân Kryo 280 do Qualcomm tùy biến trên nền tảng ARM, và theo hãng, 80% thời gian sử dụng, máy sẽ chỉ cần đến 4 nhân hiệu năng thấp hơn và chỉ bật 4 nhân còn lại khi truy cập ứng dụng năng, lướt web hay trải nghiệm thực tế ảo.
Snapdragon 835 được sản xuất trên tiến trình 10nm của Samsung cho hiệu năng cao hơn, tiết kiệm điện hơn và ít tỏa nhiệt hơn. Với một viên pin tiêu chuẩn 3000mAh, Snapdragon 835 cho phép nghe gọi trong 24 giờ, phát nhạc 5 ngày, 7 giờ xem video 4K@30fps và 3 giờ quay video 4K@30fps. Ngoài ra, nó còn hỗ trợ sẵn sạc nhanh QuickCharge 4.0 mới, sạc pin nhanh hơn 20% so với thế hệ trước. Tính năng này hứa hẹn cho thời gian sử dụng 5 tiếng chỉ trong vòng 5 phút, và sạc từ 0 đến 50% pin chỉ trong 15 phút. Nếu so sánh với Snapdragon 801 có trong HTC One M8, phiên bản mới cho thời lượng pin khoảng gấp đôi.
Snapdragon 835 hỗ trợ camera đơn 32MP hoặc camera kép 16MP, có sẵn tính năng Clear Sight để tối ưu hóa ảnh chụp từ 2 camera, quay video 4K@30fps và giải mã video 4K@60fps. Chip đồ họa Adreno 540 thì có thể xử lý màu sắc tốt gấp 60 lần và xử lý 3D nhanh gấp 25 lần so với Adreno 530 trong Snapdragon 820. Chính điều này sẽ giúp người dùng thoải mái sử dụng tính năng Google Daydream VR có sẵn trên Android 7.1.
Dự kiến, Snapdragon 835 sẽ sớm xuất hiện trong các siêu phẩm của nửa đầu năm 2017 như Samsung Galaxy S8, LG G6 và HTC 11.
Smember
0 Hỏi đáp