Trang thông tin công nghệ anzhuo.cn của Trung Quốc vừa đăng tải một bức ảnh chứa những thông tin được cho là thông số của Snapdragon 835, vi xử lý mới nhất của Qualcomm.
Tuy được ra mắt từ trước, đây là những thông số kĩ thuật đầu tiên của Snapdragon 835 được rò rỉ. Bức ảnh này cũng có thông số của Snapdragon 660 và đã được trang Gizmochina đăng tải lại. Snapdragon 835 sẽ sử dụng một bản cải tiến kiến trúc của CPU Kryo 200 với 4 nhân lớn và 4 nhân nhỏ (chưa rõ tốc độ), GPU Adreno 540 và modem LTE X16.
Snapdragon 835 cho tốc độ download mạng 4G lên đến 1Gbps, hỗ trợ 4 luồng RAM LPDDR4X 1866MHz và chuẩn bộ nhớ trong UFS2.1.
Trong khi đó, Snapdragon 660 được sản xuất dựa trên tiến trình FinFET LPP 14nm của Samsung với 4 nhân 2.2GHz và 4 nhân 1.9GHz. Con chip này sẽ sử dụng GPU Adreno 512, hộ trợ 2 luồng RAM LPDDR4X tốc độ 1866MHz và sẽ là bản nâng cấp của vi xử lý tầm trung Snapdragon 652.
Trong buổi ra mắt tuần trước, Qualcomm cho biết Snapdragon 835 sẽ được xây dựng trên tiến trình FinFET 10nm của Samsung và hỗ trợ Quick-Charge 4.0. Công nghệ sạc nhanh này cho phép người dùng sử dụng thiết bị trong 5 tiếng đồng hồ với 5 phút thời gian sạc.
Snapdragon 835 cho tốc độ download mạng 4G lên đến 1Gbps, hỗ trợ 4 luồng RAM LPDDR4X 1866MHz và chuẩn bộ nhớ trong UFS2.1.
Trong khi đó, Snapdragon 660 được sản xuất dựa trên tiến trình FinFET LPP 14nm của Samsung với 4 nhân 2.2GHz và 4 nhân 1.9GHz. Con chip này sẽ sử dụng GPU Adreno 512, hộ trợ 2 luồng RAM LPDDR4X tốc độ 1866MHz và sẽ là bản nâng cấp của vi xử lý tầm trung Snapdragon 652.
Trong buổi ra mắt tuần trước, Qualcomm cho biết Snapdragon 835 sẽ được xây dựng trên tiến trình FinFET 10nm của Samsung và hỗ trợ Quick-Charge 4.0. Công nghệ sạc nhanh này cho phép người dùng sử dụng thiết bị trong 5 tiếng đồng hồ với 5 phút thời gian sạc.
Smember
0 Hỏi đáp