Samsung sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt siêu chip GAAFET 3nm vào năm 2021

Samsung đang thể hiện sự dẫn đầu ngành chip di động, lên kế hoạch sản xuất hàng loạt siêu chip GAAFET 3nm vào đầu năm 2021.

Theo báo cáo tài chính cuối cùng được công bố gần đây, lợi nhuận của Samsung đã giảm mạnh trong quý 4/2018, giảm 9% so với cùng kỳ năm ngoái và 38.5% so với quý trước. Lý do chính khiến doanh thu giảm mạnh là bởi mảng kinh doanh smartphone của công ty đang có dấu hiệu chững lại, giá chip nhớ cũng giảm và tình trạng này sẽ tiếp tục tiếp ra trong nửa đầu năm nay.

Để bù đắp cho ảnh hưởng của chu kỳ giảm giá chip nhớ, Samsung đã bắt đầu tăng cường đẩy mạnh nghiên cứu các quy trình sản xuất tiên tiến hơn để bắt kịp TSMC. Theo giám đốc điều hành của Samsung, công ty sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt chip EUV 7nm trong nửa cuối năm nay và vào năm 2021, họ sẽ sản xuất hàng loạt chip GAAFET 3nm tiên tiến hơn.

Mặt khác, Ryan Sanghyun Lee - phó chủ tịch mảng kinh doanh của Samsung cho biết công ty đã phát triển công nghệ GAA (Gate-All-Surround) từ năm 2002 và đã tạo ra MBCFET (Multi-Bridge-Channel) bằng cách sử dụng các thiết bị nanochip, qua đó giúp tăng cường đáng kể hiệu suất của bóng bán dẫn.

Năm ngoái, Samsung đã tiết lộ rằng họ sẽ sử dụng quy trình GAAFET 4nm vào đầu năm 2020. Vào thời điểm đó, phó chủ tịch công ty nghiên cứu Garner - ông Samuel Wang đã dự đoán rằng chip GAAFET sẽ được sản xuất trước năm 2022. Tuy nhiên, ở thời điểm hiện tại, ông Wang lại cho rằng có vẻ như Samsung sẽ đưa chip GAAFET vào sản xuất sớm hơn dự kiến.

Samsung cũng sẽ là công ty đầu tiên đưa chip EUV 7nm vào dây chuyền sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay. Mặc dù TSMC và Global Foundries không hề chậm trễ trong việc phát triển chip EUV, tuy nhiên Samsung có lợi thế hơn vì họ đã phát triển công cụ kiểm tra mặt nạ EUV của riêng mình và chưa có công cụ thương mại nào được phát triển.

Yongjoo Jeon, một kỹ sư chính của Samsung Foundry cũng nói thêm rằng công ty đang đi đúng hướng để sẵn sàng khởi động dây chuyền sản xuất hàng loạt vào cuối năm nay.