Thế hệ vi xử lý di động dựa trên tiến trình 10nm đầu tiên trên thế giới vừa được Qualcomm và Samsung công bố, hứa hẹn mở ra một chương mới trong ngành công nghiệp di động với những cải tiến vượt bậc.
Con chip Snapdragon 835 được thiết kế bởi Qualcomm, nhưng Samsung cũng có công rất lớn vì là công ty đầu tiên có khả năng sản xuất chip xử lý trên tiến trình 10nm, nhỏ hơn và hiệu quả hơn khá nhiều so với tiến trình 14nm trên các dòng chip như Snapdragon 820 hay Exynos 8890.
Theo Qualcomm, tiến trình 10nm sẽ cho phép các vi xử lý giảm kích thước, giảm trọng lượng nhưng tăng hiệu suất hoạt động, tăng khả năng tiết kiệm pin. Bằng cách này, các nhà sản xuất có thể tạo ra các thiết bị mỏng hơn hoặc pin lớn hơn, hiệu năng cao hơn mà lại hoạt động ổn định hơn, ít nóng máy hơn trong cùng 1 điều kiện sử dụng.
Chính xác hơn thì tiến trình FinFET 10nm của Samsung sẽ giúp giảm 30% diện tích, cải thiện hiệu năng lên tới 27% và tiết kiệm pin tốt hơn tới 40% so với thế hệ trước (Snapdragon 820). Điều này, công với thiết kế chip tân tiến hơn sẽ giúp tăng đáng kể thời lượng pin - một trong những vấn đề đau đầu trên các mẫu smartphone nhiều năm nay.
Ngoài ra, Snapdragon 835 còn hỗ trợ sạc nhanh Quickcharge 4.0 hoàn toàn mới, nhanh hơn trước 20%, sạc 15 phút đầy 50% và hỗ trợ tính năng chống quá tải, tránh gây cháy nổ do nguồn vào vượt mức thông qua cổng USB-C.
Smember
0 Hỏi đáp