Snapdragon 835 lộ thông số kỹ thuật chi tiết, hiệu năng cao hơn 27% Snapdragon 820

Tuần trước, Qualcomm cho biết hãng sẽ công bố thêm thông tin về thế hệ SoC đầu bảng kế tiếp của hãng - Snapdragon 835 tại sự kiện CES 2017. Mới đây, những slide thuyết trình tại CES của Qualcomm đã được tung ra, để lộ nhiều thông tin mới về SoC này.

Snapdragon 830 sẽ được sản xuất trên tiến trình 10nm FinFET thế hệ thứ hai. Nó sẽ cho hiệu năng cao hơn 27% so với Snapdragon 820 trước đó, trong khi mức điện năng tiêu thụ và kích thước lại nhỏ hơn. Trên thực tế, so sánh với thế hệ chip Snapdragon 801, Snapdragon 835 cho mức năng lượng tiêu thụ giảm thiểu còn một nửa.

Con chip này sẽ bao gồm 8 nhân Kyro 280, trong đó bao gồm 4 nhân hiệu năng cao chạy ở xung nhịp 2.45Ghz và 2MB L2 cache, còn lại 4 nhân tiết kiệm năng lượng chạy ở xung nhịp 1.9Ghz và 1MB L2 cache. Đi kèm với CPU sẽ là GPU Adreno 540, hỗ trợ lượng màu sắc gấp 60 lần so với các thế hệ chipset Snapdragon hiện nay, render nhanh hơn 25% và hỗ trợ video 10-bit, 4K, 60fps, tập lệnh OpenGL ES, Vulkan và DirectX 12.

Công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4 sẽ cho tốc độ sạc nhanh hơn 20% so với QC3, cho thời lượng sử dụng 5 tiếng chỉ trong 5 phút sạc, và dung lượng pin sẽ đạt 50% chỉ trong 15 phút.

Snapdragon 835 sẽ được Qualcomm công bố tại sự kiện CES 2017 sắp tới (5/1/2017) và sẽ có mặt trên các sản phẩm thương mại như Galaxy S8, LG G6, Xiaomi Mi 6 trong tháng Hai hoặc Ba.