Galaxy S26 Ultra lộ điểm Geekbench: Vượt mặt Apple A19 Pro trên iPhone 17 Pro series

Điểm số Geekbench mới nhất cho thấy Samsung Galaxy S26 Ultra dùng chip Snapdragon 8 Elite Gen 5 đã vượt mặt Apple A19 Pro về hiệu năng đa nhân.
Một kết quả chấm điểm Geekbench vừa rò rỉ đã hé lộ sức mạnh đáng gờm của Samsung Galaxy S26 Ultra. Cụ thể, thiết bị đạt 3,601 điểm đơn nhân và 10,686 điểm đa nhân.
Mẫu Galaxy S26 Ultra trong bài thử nghiệm trang bị vi xử lý Snapdragon 8 Elite Gen 5 phiên bản đặc biệt "For Galaxy". Dữ liệu cho thấy xung nhịp tối đa của con chip này đạt tới 4.74 GHz, cao hơn mức tiêu chuẩn 4.60 GHz của Qualcomm. Điều này xác nhận "truyền thống" hợp tác ép xung giữa Samsung và Qualcomm vẫn được duy trì để tạo lợi thế cạnh tranh.
Khi đặt lên bàn cân so sánh:
- Với bản tiền nhiệm (S25 Ultra): Chip mới nhanh hơn 16% đơn nhân và 7.5% đa nhân.
- Với đối thủ Apple A19 Pro: Snapdragon Gen 5 chịu thua khoảng 7% ở bài test đơn nhân, nhưng lại vượt mặt Apple tới 6% ở bài test đa nhân.
Đây là một tín hiệu rất tích cực cho thế giới Android, khi khoảng cách hiệu năng với chip Apple dòng A đang dần bị xóa nhòa, thậm chí là vượt qua ở các tác vụ đòi hỏi xử lý đa luồng phức tạp.
Theo cảm nhận của mình, việc Samsung ép xung chip lên 4.74 GHz với mức hiệu năng đỉnh cao, kết hợp với hệ thống tản nhiệt buồng hơi trên S26 Ultra (theo tin rò rỉ) mang lại rất nhiều hứa hẹn cho người dùng.
Nguồn: Notebookcheck
[campSubscriber service='SAMSUNG_GALAXY_S26_SERIES' title='ĐĂNG KÝ NHẬN THÔNG TIN SẢN PHẨM MỚI']
Xem thêm:
- Galaxy S26 Ultra lộ ảnh quảng cáo: Bo tròn hơn, camera như “kiệt tác”?
- Samsung “chơi lớn” trên Galaxy S26 Ultra: Thêm chế độ 24MP cho chụp ảnh hằng ngày


.jpg)

Bình luận (0)