Galaxy S25 FE lộ cấu hình: Chip Exynos 2400

Ngày cập nhật: 01/08/2025

Rò rỉ mới nhất vừa tiết lộ cho chúng ta thông số kỹ thuật chính của mẫu điện thoại Fan Edition thế hệ tiếp theo của Samsung là Galaxy S25 FE.

Trong vài tuần qua, chúng ta đã được nhìn thấy khá nhiều thông tin rò rỉ về điện thoại Galaxy S25 FE. Hôm nay, thông số kỹ thuật chính của smartphone này đã được hé lộ.

Thông tin rò rỉ mới nhất từ X cho thấy Galaxy S25 FE sẽ được trang bị chipset Exynos 2400 của Samsung với RAM 12GB. Thiết bị sẽ có hai tùy chọn bộ nhớ trong 128GB và 256GB. Đúng như dự đoán, máy sẽ được cài sẵn giao diện người dùng One UI 8 ngay khi xuất xưởng.

Bên cạnh đó, Galaxy S25 FE sẽ có hệ thống 3 camera chất lượng ở mặt sau, bao gồm cảm biến chính 50 megapixel, máy ảnh góc siêu rộng 12 megapixel và camera tele 8 megapixel hỗ trợ zoom quang học 3x. Các thông số kỹ thuật khác bao gồm pin 4,500mAh, thấp hơn so với con số 4m700mAh trên Galaxy S24 FE năm ngoái, hỗ trợ sạc có dây 45W và sạc không dây 15W.

Thiết bị sẽ có khả năng chống bụi và nước đạt chuẩn IP68, cùng với kính cường lực Gorilla Glass Victus bảo vệ màn hình Dynamic AMOLED 2X 6.7 inch với tần số quét 120Hz. Máy có trọng lượng 190g, nhẹ hơn so với Galaxy S24 FE 213g, cho thấy Samsung tiếp tục tập trung vào việc mang đến những thiết bị mỏng và nhẹ hơn.

Nguồn: Sammobiles

Xem thêm:

Nếu quan tâm đến điện thoại Galaxy S25 FE, bạn hãy nhấn nút đăng ký bên dưới để nhận những thông tin mới nhất về sản phẩm:

[cpsSubscriber id='84111']

Thẻ: Samsung Điện thoại Điện thoại cận cao cấp Samsung Galaxy S25 FE