Galaxy S24 FE được thử nghiệm hiệu năng trên Geekbench, xác nhận dùng chip Exynos 2400

Theo các báo cáo xuất hiện gần đây cho biết, Samsung đang phát triển một thành viên mới thuộc dòng Galaxy S24, có tên gọi là Galaxy S24 FE.

Hôm nay, điện thoại thông minh này vừa được phát hiện trên trang web đo hiệu năng Geekbench với một vài thông số kỹ thuật chính.

Theo đó, Galaxy S24 FE với số model SM-S721B đã đạt 2,047 điểm trong bài kiểm tra lõi đơn và 6,289 điểm trong các bài kiểm tra đa lõi của Geekbench. Danh sách cho thấy điện thoại sử dụng SoC có thiết lập CPU 10 lõi và ID bo mạch chủ là s5e9945. Dựa trên thông số kỹ thuật này thì có vẻ như mẫu điện thoại Fan Edition tiếp theo của Samsung sẽ sử dụng SoC Exynos 2400 cao cấp.

Tuy nhiên, đây có vẻ là một phiên bản rút gọn của Exynos 2400 so với phiên bản trên điện thoại Galaxy S24. Lõi Cortex-X4 chính trên Galaxy S24 FE có tốc độ 3,11 GHz, thấp hơn một chút so với 3.21 GHz của Exynos 2400 tiêu chuẩn. Các thông số kỹ thuật khác, như GPU Xclipse 940, vẫn được giữ nguyên.

Điều này cho thấy rằng Samsung có thể đang sử dụng SoC Exynos 2400 có xung nhịp thấp hơn trong Galaxy S24 FE. Con chip này dự kiến sẽ được kết hợp với RAM LPDDR5X lên tới 12GB, so với 8GB trên model cao cấp nhất của Galaxy S23 FE. Ngoài ra, bộ nhớ trong 256GB của S24 FE được cho là sử dụng công nghệ UFS 4.0.

Các thông số kỹ thuật được đồn đại khác cho S24 FE bao gồm màn hình 6.7 inch và hệ thống camera tương tự như trên Galaxy S24 và Galaxy S23 FE. Điện thoại có thể sẽ có thiết kế tương tự như mẫu máy tiền nhiệm và đi kèm pin 4,500mAh với hỗ trợ sạc nhanh có dây 25W và không dây 15W.

Nguồn: Gizmochina

Xem thêm: Hé lộ thông tin chi tiết camera Galaxy S24 FE

Nếu quan tâm đến mẫu Galaxy S24 FE sắp tới của Samsung thì bạn hãy nhấn nút đăng ký bên dưới để nhận được những thông tin cập nhật mới nhất về sản phẩm nhé!

[cpsSubscriber id='74613']