LG G7 ThinQ lộ điểm hiệu năng trên Geekbench với Snapdragon 845 cùng 4GB RAM

Các tin đồn về chiếc flagship mới nhất đến từ nhà sản xuất Hàn Quốc, LG G7 ThinQ, đã xuất hiện khá nhiều trong thời gian vừa qua cả thiết kế cũng như cấu hình chi tiết của máy. Vừa qua, G7 ThinQ lại tiếp tục lộ diện trên trang chấm điểm hiệu năng Geekbench cùng thông số cấu hình chi tiết.

Theo các thông tin từ Geekbench, G7 ThinQ sẽ có tên mã LGE LM-G710, được trang bị con chip Snapdragon 845 mạnh mẽ nhất đến từ Qualcomm với 8 lõi xung nhịp 1.7GHz, đi kèm là dung lượng RAM 4GB. Có vẻ 4GB RAM là một con số không mấy ấn tượng trong thời điểm hiện tại khi mà hiện nay hầu hết các flagship đều được ra mắt với ít nhất 6GB RAM, hay thậm chí flagship đến từ OnePlus còn được trang bị đến 8GB RAM.

Tuy nhiên, mặc dù có dung lượng RAM chỉ 4GB, G7 ThinQ vẫn có điểm số hiệu năng khá ấn tượng, gần như là ngang bằng với chiếc Galaxy S9 đến từ Samsung. Máy đạt 2312 điểm trong bài đánh giá hiệu năng đơn nhân và 8979 điểm với hiệu năng đa nhân.

LG gần đây cũng đã xác nhận các tính năng độc đáo có trên chiếc G7 ThinQ của hãng như là máy sẽ được trang bị một màn hình IPS LCD 6.1 inch tỷ lệ 19.5:9 với độ sáng lên đến 1000 nits, cùng độ phân giải QHD+ (1440 x 3120). Máy được cho là sẽ có thiết kế "tai thỏ" và theo gadgets nói rằng máy sẽ có thêm một màn hình phụ thứ 2 từng xuất hiện trên chiếc LG V20 vào năm 2016.

Có lẽ chúng ta sẽ cần phải đợi một thời gian nữa mới có thể chứng kiến được hiệu năng thực sự của LG G7 ThinQ khi máy được chính thức bán ra. Máy sẽ chính thức được giới thiệu vào ngày 2/5 tới đây tại New York. Ngoài ra, phiên bản tiếp theo của chiếc Q6 là LG Q7 với màn hình 18:9 cùng mức giá rẻ hơn cũng được đồn rằng sẽ ra mắt cùng với LG G7 ThinQ trong thời gian tới.