Samsung ra mắt SSD 256TB nhỏ nhất thế giới và chip V-NAND hơn 400 lớp cho AI

Samsung vừa giới thiệu ổ cứng SSD enterprise 256TB nhỏ nhất thế giới cùng công nghệ V-NAND hơn 400 lớp.

Tại Diễn đàn Đổi mới Bộ nhớ Toàn cầu (GMIF2026) diễn ra ở Thâm Quyến, Samsung Semiconductor đã giới thiệu hàng loạt công nghệ lưu trữ thế hệ mới. Sản phẩm mới tập trung giải quyết áp lực xử lý dữ liệu cho hệ thống trí tuệ nhân tạo (AI), nổi bật là ổ cứng SSD dung lượng 256TB và công nghệ V-NAND vượt mốc 400 lớp.

Cặp ổ cứng SSD enterprise mới hỗ trợ xử lý A

Nhằm giảm tải bộ nhớ cho các hệ thống tính toán GPU, Samsung công bố hai dòng SSD enterprise chiến lược. Trong đó, PCIe Gen6 PM1763 là mẫu SSD hiệu năng cao dự kiến bắt đầu gửi bản mẫu vào cuối năm nay. Dòng sản phẩm này hướng tới các trung tâm dữ liệu đòi hỏi tốc độ truy xuất cực nhanh cho các mô hình AI đa đại lý.

Bên cạnh đó, Samsung trình làng BM1773, mẫu SSD QLC có mật độ lưu trữ siêu cao đạt dung lượng lên tới 256TB. Theo đại diện Samsung, đây là ổ cứng SSD enterprise có kích thước nhỏ nhất thế giới trong phân khúc dung lượng này. Sản phẩm giúp các trung tâm dữ liệu tối ưu không gian lắp đặt và mở rộng khả năng lưu trữ quy mô lớn.

Nếu đang tìm mua ổ cứng SSD đến từ thương hiệu Samsung, bạn có thể tham khảo model Samsung 990 PRO PCIE Gen 4.0 X4 NVMe (R 7450/W 6900) 1TB đang bán tại CellphoneS:

[Product_Info id='110406']

Công nghệ V-NAND 400 lớp và kiến trúc zNAND-O

Về mặt công nghệ bán dẫn, Samsung công bố thế hệ V10 BV-NAND với thiết kế xếp chồng hơn 400 lớp thông qua công nghệ liên kết dọc. Cải tiến này giúp gia tăng mật độ bit lên gần 60% so với thế hệ hiện tại. Việc tăng mật độ lưu trữ trên từng phiến silicon giúp tối ưu hiệu suất năng lượng và chi phí sản xuất chip nhớ.

Đối với các thiết bị rìa (edge devices), hãng giới thiệu kiến trúc zNAND-O dự kiến đóng gói trực tiếp bên cạnh bộ xử lý qua giao tiếp UCIe. Kiến trúc zNAND-O được thiết kế nhằm mang lại mật độ bit cao gấp 10 lần so với DRAM tiêu chuẩn, đồng thời cải thiện đáng kể hiệu suất đọc dữ liệu khi ngân sách DRAM trên thiết bị di động bị giới hạn.

Định hướng chiến lược và hạ tầng sản xuất của Samsung

Bên cạnh việc ra mắt sản phẩm mới, Samsung cũng đang đẩy mạnh đầu tư hạ tầng nhằm củng cố vị thế trên thị trường bán dẫn. Hãng lên kế hoạch rót 9.15 tỷ USD vào lĩnh vực chip tại Hàn Quốc và Việt Nam, bao gồm khoản đầu tư 4.09 tỷ USD cho cơ sở kiểm thử chip nhớ tại Thái Nguyên để hỗ trợ chuỗi cung ứng DRAM và NAND flash.

Ngoài ra, Samsung cùng các đối tác như SK Hynix, TSMC, Intel và Micron đã tham gia trung tâm nghiên cứu bán dẫn EPIC Center trị giá 5 tỷ USD của Applied Materials tại Mỹ. Những bước đi này giúp hãng đẩy nhanh quá trình thử nghiệm công nghệ mới, nâng cao tỷ lệ xuất xưởng chip thương mại cho các trung tâm dữ liệu AI trong tương lai.

Bạn đừng quên hãy thường xuyên ghé thăm trang Sforum để được cập nhật những thông tin công nghệ mới nhất nhé.

Nguồn: Gizmochina

CellphoneS hiện đang bán nhiều điện thoại Samsung chất lượng với giá hấp dẫn mà bạn có thể tham khảo thêm ở danh sách bên dưới:

Xem thêm:

• Trên tay Samsung Galaxy A18 LTE: Mỏng nhẹ, màn hình Super AMOLED 90Hz, chạy One UI 9
• Thông tin rò rỉ đầu tiên về camera Samsung Galaxy A58 5G có gì đáng chú ý?